聚焦离子束（FIB）

聚焦离子束（FIB）仪器采用细微的聚焦离子束对样品进行加工，主要用于制备非常精准的样品横切面以用于随后的SEM、STEM、TEM成像。另外，FIB可以直接探测发射电子用于直接成像。FIB的对比机制不同于SEM或STEM， 因此对一些特定的样品，FIB能提供独特的信息。双束FIB/SEM技术整合这两种技术为一种分析工具，因此可同时用于试样制备和SEM成像。

作为一种试样的制备工具，FIB能够准确制备复杂的横切面试样，诸如：

• FIB已经革新了TEM样品制备功能，使它能够识别亚微米特征并精确地制备横切面。
• FIB制备的截面被广泛应用于SEM中； FIB制备，SEM成像、成份分析都可以在这一多技术支持工具上进行。
• FIB制备的样品也可用俄歇电子能谱仪表征不同层元素的组成。
• 在半导体行业用来做次表面颗粒识别。
• 对于难以制备截面的产品（比如难以抛光、质软的聚合物），它是一个很好的工具。

技术参数

信号检测： 电子

深度分辨率：5 – 15 Ǻ (二次电子)， <2μm (背散电子)

横向分辨率/束斑尺寸：大于等于7nm

主要应用

• SEM, STEM和TEM 样品准备
• 具有小面积、精细特征样品的高分辨率切面成像
• 芯片电路改装

相关行业应用

• 生物医学/生物技术
• 数据存储
• 光学
• 半导体
• 电信

分析的优势

• 分析截面上精密结构的最好方法
• 快速，高分辨率成像
• 良好晶粒对比成像
• 支持许多种工具的多功能平台

分析的局限性

• 要求真空兼容性
• 成像可能会影响随后的分析
• 残留在分析表面的Ga元素
• 离子束损伤可能影响成像分辨率
• 横截面面积现对较小